专利详情

专利名称	混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用
申请号	CN200810040645.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101325154	公开（授权）日	2008.12.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司	发明（设计）人	马小波;刘卫丽;宋志棠;李炜;林成鲁
主分类号	H01L21/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/18(2006.01)I
专利有效期	混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用至混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III-V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。