专利详情

专利名称	一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法
申请号	CN201210094292.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102633531A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	张劲松;田冲;杨振明;曹小明
主分类号	C04B38/06(2006.01)I	IPC主分类号	C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/632(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;B01D69/10(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I
专利有效期	一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法至一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC，由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中，支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成，平均孔径5～120μm，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成，成型采用等静压成型，成型压力控制为40～150MPa，烧成温度控制为1500～2400℃，保温时间0.5～5小时，易于实现，能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。