专利详情

专利名称	一种表面等离子体超分辨干法光刻方法
申请号	CN201210107638.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102636965A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	罗先刚;赵泽宇;王长涛;冯沁;王彦钦;刘利芹;陶兴;胡承刚;黄成;杨磊磊
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I
专利有效期	一种表面等离子体超分辨干法光刻方法至一种表面等离子体超分辨干法光刻方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其步骤为：1)清洗基片；2)在基片上镀一层无机光刻胶TeOx；3)于TeOx膜层上镀一层金属薄膜；4)如此反复镀若干周期，最后一层为无机光刻胶；5)将多层膜置于一定图形的掩模板下进行曝光；6)曝光后的多层膜进行干法显影；7)去除残余的Ag层，制作完成。本发明利用干法对无机光刻胶进行显影，能得到边缘规则、陡直的图形，克服了传统有机光刻胶所存在的溶剂膨胀效应导致的图形边缘不规则，及后烘容易带来图形线条坍塌等问题；此外，金属层可以放大倏矢波的传播，降低在曝光过程中光的衍射效应。因此，可实现对SP光刻图形质量的提高。