专利详情

专利名称	一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法
申请号	CN200910200722.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101764102A	公开（授权）日	2010.06.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋
主分类号	H01L21/84(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法至一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI?CMOS器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层；在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后通过化学机械抛光形成垂直栅区；在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火，源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单，制作出的器件占用面积小版图层数少，能够完全避免浮体效应，方便对寄生电阻电容的测试。