去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈
- 申请号：CN201210137278.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号：CN102636763A
- 公开(公开)日：2012.08.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈 | ||
| 申请号 | CN201210137278.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102636763A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 章勇勤;邱本胜;刘新;郑海荣;宋怡彪 |
| 主分类号 | G01R33/36(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/36(2006.01)I |
| 专利有效期 | 去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈 至去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈，包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括：金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。金属导带双层布置，过孔连接件穿过金属导带，把上下两层的金属导带连接，形成了双微带线单元。两个双微带线单元相对交错放置，等效于去耦电感。而且双微带线单元成扁平状设置，尺寸更加小巧。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
02
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可交易 - 03 签订合同
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