专利详情

专利名称	一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法
申请号	CN200710011723.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101323937	公开（授权）日	2008.12.17
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	张勇;陶乃镕;卢柯
主分类号	C22F1/08(2006.01)I	IPC主分类号	C22F1/08(2006.01)I
专利有效期	一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法至一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及高度强高导电铜薄板的制备，特别是利用严重塑性变形技术制备超高强度和高导电铜薄板的一种方法。该方法分别利用低温动态高速变形和室温准静态低速变形两种技术。动态高速变形速率为10²-10⁴s^-1，变形量为1.8-2.5(计算方法：ε₁＝lnH₀/H)，变形温度-196℃至-100℃；准静态低速变形速率为10^-3-10^-2 s^-1，变形量为10％-97％(计算方法：ε₂＝((A₀-A)/A₀)×100％)，变形温度为室温。采用本发明制备的铜薄板拉伸强度550-600MPa，电阻率17.8-18.1nΩ·m，均匀变形量达到5％，为超高强度高导电铜薄板，并具有一定均匀延伸率。本发明制备的高强高导电铜薄板对迅速发展的计算机产业和电子行业具有重要价值和极大的应用空间。