专利详情

专利名称	一种反铁电薄膜的制备方法
申请号	CN201210332301.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102891250A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	李润伟;左正笏;詹清峰;陈斌;杨华礼;刘宜伟
主分类号	H01L41/314(2013.01)I	IPC主分类号	H01L41/314(2013.01)I;H01L41/39(2013.01)I
专利有效期	一种反铁电薄膜的制备方法至一种反铁电薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。