专利详情

专利名称	一种相变存储器多级存储系统及方法
申请号	CN201110203009.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102890962A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	许林海;陈小刚;陈一峰;李顺芬;丁晟;陈后鹏;宋志棠
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器多级存储系统及方法至一种相变存储器多级存储系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（720）；所述行列译码器（520、530）用于选中所述相变存储单元；接着通过控制信号（770）控制写驱动电路（750）通过控制信号（770）在所属相变存储单元上写入相应的数据；所述读出功能电路（720）通过控制信号（770）在经过判别步骤后将读出结果输到I/O口（760）中。本发明的优点在于解决了相变储存器的多级存储中的不稳定性，符合相变存储器对高密度和可靠性的要求。