专利详情

专利名称	铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
申请号	CN201010118290.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101789469A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;王耀明;朱小龙;吕旭杰;王晶
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法至铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及铜铟镓硒硫(CIGSS)光吸收层薄膜的制备方法。特征在于首先采用磁控溅射法在基片沉积Cu膜，然后采用蒸发法沉积In-Ga膜，形成Cu-In-Ga合金膜，再次将Cu-In-Ga合金膜与固态Se源或气态H2Se源反应生成铜铟镓硒(CIGS)薄膜，最后将CIGS薄膜与固态S单质或气态H2S源反应生成铜铟镓硒硫(CIGSS)吸光层薄膜。本发明所提供的CIGSS薄膜的制备方法，不仅避免了三步共蒸发法中的大面积薄膜成分难以控制的问题，也克服了磁控溅射法中成膜速率过慢的问题，而且改善了CIGSS薄膜的表面状态，减少了CIGSS电池的界面复合，有利于高效率CIGSS薄膜太阳电池的规模化生产。