专利详情

专利名称	一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法
申请号	CN200910200718.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101789435A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/38(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法至一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于垂直栅SOI?CMOS器件的超结结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。本发明在垂直栅SOI?CMOS器件的基础上，将单一掺杂类型的漂移区改造成pn柱区交错的漂移区，尽可能使得漂移区在达到击穿电压时全耗尽，各处电场分布得到优化，电场峰值在漂移区、漂移区与沟道区交界处、漂移区与漏区交界处降低并平坦化，在继承了垂直栅SOI?CMOS器件消除浮体效应的基础上，大大提升了SOI?LDMOS的抗高压击穿能力。