专利详情

专利名称	一种高密度低寄生的电容装置
申请号	CN201010123023.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101789430A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冯鹏;吴南健
主分类号	H01L27/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/08(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I
专利有效期	一种高密度低寄生的电容装置至一种高密度低寄生的电容装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容；多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容；同一层金属之间的第二电容，其中该同一层金属由金属方块阵列构成，且每一个金属方块与其相邻的金属方块分别连接到电容装置的A端口和B端口；通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，具有上极板和下极板，上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现多晶硅栅与金属层之间的电容、同层金属之间的电容、通孔与通孔之间的电容、MIM电容等，最大限度的实现了单位面积上的电容。