专利详情

专利名称	一种高密度导电通道基板及其制造方法
申请号	CN201110130444.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208372A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于中尧
主分类号	H01L23/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/14(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I
专利有效期	一种高密度导电通道基板及其制造方法至一种高密度导电通道基板及其制造方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及芯片封装、制造、加工技术领域，具体涉及一种高密度导电通道基板。所述高密度导电通道基板，包括芯板和芯板表面的布线层，所述芯板是由垂直于基板表面的包覆绝缘层的柱状导线紧密排列而成的，所述相邻的包覆绝缘层的柱状导线之间填充有粘接材料。本发明还提供一种高密度导电通道基板的制造方法。本发明提供的基板结构具有低成本高密度，易于埋入无源器件的特点；而本发明提供的基板的制造方法，工艺步骤简单，生产效率高，由于没有采用高难度高成本的工艺，因此极大降低了加工成本。