自支撑氮化镓衬底的制作方法
- 申请号：CN201110134149.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102208340A
- 公开(公开)日：2011.10.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 | ||
| 申请号 | CN201110134149.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102208340A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙波;伊晓燕;刘志强;汪炼成;郭恩卿;王国宏 |
| 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 至自支撑氮化镓衬底的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。 | ||
交易流程
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专利 -
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