专利详情

专利名称	一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法
申请号	CN201110113880.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208362A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋崇申;于大全
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法至一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体衬底背部表面；在所述穿透硅通孔背部表面形成辅助金属层，所述辅助金属层与填充所述穿透硅通孔的主金属在穿透硅通孔背部表面形成金属叠层结构；刻蚀所述半导体衬底背面，使所述金属叠层结构凸出于所述半导体衬底背部表面，形成穿透硅通孔的背部连接端。本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模、低温制备的方式，在穿透硅通孔背部表面叠加辅助金属层，提高了使用穿透硅通孔实现多层微电子芯片堆叠集成的可实施性和成品率。