专利详情

专利名称	一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
申请号	CN201210495667.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102938371A	公开（授权）日	2013.02.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘洪刚;韩乐;薛百清;孙兵;王盛凯
主分类号	H01L21/225(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/225(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法至一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延或者生长帽层；采用快速退火工艺将硫吸附层中的硫原子扩散进Ge衬底内；腐蚀掉帽层从而得到硫掺杂的n+/p型超浅结。利用本发明，能够实现在Ge衬底上的n+/p型超浅结，且工艺设备较为简单，耗费较小，易于进行大规模操作，解决了在Ge衬底结构上实现纳米尺度的浅掺杂，并满足了不同掺杂分布的要求。