专利详情

专利名称	与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵制备方法
申请号	CN201010135927.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208364A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	王良民;江潮;李德兴
主分类号	H01L21/77(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/77(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵制备方法至与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及的与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵的制备方法，其步骤包括依次在衬底上制作栅极、绝缘介电层、有机小分子膜、源电极和漏电极；在绝缘介电层上制备有机小分子膜的步骤是：将衬底下表面粘在真空蒸镀系统滚筒上，在真空度为1×10-3～5×10-5Pa真空环境及室温条件下，使用真空热蒸镀法在所述绝缘介电层上蒸镀有机小分子材料10～100min，制得有机小分子膜；有机小分子材料为并苯、酞菁铜及衍生物、噻吩齐聚物及衍生物与四硫富瓦烯衍生物；有机小分子材料蒸镀过程中，滚筒同时作旋转和平移运动。该方法简单，可获高性能指标，如高迁移率的晶体管器件，且原材料利用效率高，晶体管器件性能均匀程度高。