专利详情

专利名称	高压磁饱和式单相可控电抗器
申请号	CN201110044637.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102208247A	公开（授权）日	2011.10.05
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	张国强;李康
主分类号	H01F21/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01F21/08(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I
专利有效期	高压磁饱和式单相可控电抗器至高压磁饱和式单相可控电抗器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高压磁饱和式单相可控电抗器，由主铁心柱(1)，两个旁柱(3、4)、两个旁轭(10、11)组成卧置的“日”字形结构铁心。所述的主铁心柱(1)为等截面、单柱，且由带间隙的多个铁心饼叠积而成；第一旁柱(3)、第二旁柱(4)关于主铁心柱(1)左右对称；第一旁轭(11)、第二旁轭(12)关于主铁心柱(1)上下对称；第一旁柱(3)、第二旁柱(4)、第一旁轭(11)、第二旁轭(12)为等截面铁心，且横截面积均为主铁心柱(1)横截面积的一半。第一工作绕组(2)和第二工作绕组(7)套设在主铁心柱(1)上，两个控制绕组(5、6)分别套设在第一旁柱(3)、第二旁柱(4)上或对称套设在第一旁轭(10)或第二旁轭(11)的两端。