刻蚀系统工艺腔室
- 申请号：CN201130402092.3
- 专利类型：外观设计
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN301890737S
- 公开(公开)日：2012.04.18
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 刻蚀系统工艺腔室 | ||
| 申请号 | CN201130402092.3 | 专利类型 | 外观设计 |
| 公开（公告）号 | CN301890737S | 公开（授权）日 | 2012.04.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;胡冬冬;屈芙蓉;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 |
| 主分类号 | 15-09 | IPC主分类号 | 15-09 |
| 专利有效期 | 刻蚀系统工艺腔室 至刻蚀系统工艺腔室 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统工艺腔室。2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。3.本外观设计的设计要点：外部形状。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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