专利详情

专利名称	采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
申请号	CN200710119474.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101355119B	公开（授权）日	2010.08.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	伊晓燕;王良臣;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)I
专利有效期	采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法至采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法	法律状态
说明书摘要	一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型接触层；刻蚀，将器件隔离；在P型接触层上制作ITO光学膜；在ITO光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作金属膜，构成器件的P电极；将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。