专利详情

专利名称	一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法
申请号	CN201110318140.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102412017A	公开（授权）日	2012.04.11
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	高召顺;马衍伟;王雷;姚超;齐彦鹏;王春雷;张现平;王栋樑
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I
专利有效期	一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法至一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，在铁基超导体块材或线带材的先驱粉或原料粉中添加锡、含锡化合物或含锡合金，混合均匀后，将先驱粉压制成块，或填入金属管、复合金属管或合金管中拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛或者真空条件下，经200-1300℃焙烧1秒钟-100小时。本发明制备的铁基超导体具有优异的超导特性：高的临界电流特性、高的上临界场和不可逆场。