专利详情

专利名称	一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法
申请号	CN200810240077.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752502A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘光华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法至一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线条图形；在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的金属线条；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积源漏电极，完成有源层有机半导体材料取向有序的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，金属引导线条制作简单，传统的光刻工艺就可以很容易实现，线条的尺度不需要太小，因而对光刻设备也没有很高的要求，而且对于不同曝光精度光刻机可以相应的选取不同粗细的引导线条，更重要的是在实现对有机分子排列取向的控制上可控性比较强。