专利详情

专利名称	一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法
申请号	CN200810240076.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752501A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法至一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条，金属线条平行排列；蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源漏上电极。由于有机材料的结构的疏松以及电子束蒸发的电极金属能量较大而渗透到半导体材料应内部使上下电极自动连接起来。于是，混合接触型电极的有机场效晶体管制作完成。因此，这些线条不仅取到引导有机材料有序生长的作用，而且，在上下电极互连后它们也取到一种下电极的作用。上下电极构成平行电路，这也有效减小了器件的沟道电阻，增大了有机场效应晶体管的饱和输出电流。