专利详情

专利名称	p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
申请号	CN200810240351.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752444A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张小宾;王晓亮;肖红领;杨翠柏;冉军学;王翠梅;李晋闽
主分类号	H01L31/075(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/075(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法至p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。