专利详情

专利名称	一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
申请号	CN201010152394.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101805927A	公开（授权）日	2010.08.18
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I
专利有效期	一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置至一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：生长炉的侧壁使用多层(至少三层)结构，侧壁内具有两个以上的相互独立的空间，分别用于通冷却水和高纯惰性气体(一般是高纯氩气)，或通冷却水和抽真空。采用本发明的生长装置可以有效地将石墨坩埚和空气隔绝，避免生长过程中空气中的氮气进入石墨坩埚，有效地控制氮元素掺入生长的碳化硅晶体，得到高纯半绝缘碳化硅体单晶。