专利详情

专利名称	具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪
申请号	CN200810239334.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101750446A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	杨海钢;吴其松;崔秀海
主分类号	G01N27/416(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/416(2006.01)I
专利有效期	具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪至具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，涉及传感器微弱电流检测技术，包括一个跨导运算放大器(OTA)，一个NMOS管，一个用于快速充电的开关，片内和片上稳压和滤噪声电容。跨导放大器(OTA)输出端接NMOS的栅极，NMOS的源极接运算放大器的反相输入端，组成一个电流传输器，NMOS漏极作为恒电位仪的输出端；开关跨接在跨导放大器的正、反相输入端，开关的控制端接系统的置位端。本发明能增强传感器工作电极电压的稳定，并能使电路在检测任何大小的电流时都能快速进入检测状态，本发明的恒电位仪使NMOS漏端更接近理想的恒流源输出。