专利详情

专利名称	一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法
申请号	CN201010101396.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101777389A	公开（授权）日	2010.07.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚
主分类号	G11C29/00(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I
专利有效期	一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法至一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。