专利详情

专利名称	一种斜面光接收的光电探测器
申请号	CN200710099874.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101315955	公开（授权）日	2008.12.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	一种斜面光接收的光电探测器至一种斜面光接收的光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、 n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置，使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦合效率。