一种自旋晶体管
- 申请号：CN200710099739.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN101315948
- 公开(公开)日：2008.12.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种自旋晶体管 | ||
| 申请号 | CN200710099739.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101315948 | 公开（授权）日 | 2008.12.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘东屏;温振超;瑞哈娜;莎麦拉;韩秀峰 |
| 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种自旋晶体管 至一种自旋晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体 管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述 发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之 间的第二铁电体层，所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性 材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足， 而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作 原理的自旋晶体管。 | ||
交易流程
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