专利详情

专利名称	表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法
申请号	CN200810050885.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101315330	公开（授权）日	2008.12.03
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	董绍俊;王建龙
主分类号	G01N21/55(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I
专利有效期	表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法至表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明旨在提供一种表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法。首先在3-氨基丙基三甲氧基硅烷修饰的玻璃片上自组装一层直径为2.5纳米的金胶纳米粒子单层作为催化模板。然后以透明胶片高精度打印的点阵阵列图样为掩模对上述金纳米粒子修饰的玻璃片进行光学刻蚀，制备出金纳米粒子的微阵列。最后采用无电镀金技术在纳米尺度范围内控制金纳米粒子点微阵列的均匀增长，从而构建所需的金膜点微阵列，微阵列中金点的大小和间距可方便地由掩模来控制，金点的厚度通过调节无电镀金的时间来控制。