专利详情

专利名称	微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法
申请号	CN201010101999.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101764353A	公开（授权）日	2010.06.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	车凯军;黄永箴
主分类号	H01S5/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/10(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I
专利有效期	微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法至微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法。该边发射FP激光器由下至上依次包括n型衬底(1)、下限制层(2)、有源层(3)、上限制层(4)、P型欧姆接触盖层(5)、侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)，其中侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)中的P型电极层用于侧向限制光场，增强腔侧向的光场或模式限制，降低腔激射阈值，提高腔端面出射效率和激光器的输出的功率。利用本发明，克服了微纳型半导体激光器定向输出的问题，并且易于分析激光器出射的FP模式，光电集成中激光光源将在二维方向上达到纳米尺寸，提高了光电器件的集成度。