专利详情

专利名称	一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法
申请号	CN200810041394.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101335329	公开（授权）日	2008.12.31
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吴良才;宋志棠;饶峰;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法至一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法，其特征在于在纳米加热电极和同一直径的柱状相变材料之间增加一薄层缓冲材料，以增强相变材料和加热电极之间的黏附性和界面匹配，同时可改善相变材料和加热电极之间的电学匹配，形成良好的欧姆接触。此外，在相变材料和顶电极之间增加一薄层热阻材料，改善器件擦写时的热平衡，减小上电极的散热，降低器件的功耗。该存储单元结构阻止相变材料与加热电极之间的扩散和反复擦写过程中的界面失效，增强器件的可靠性。加热电极、缓冲材料和相变区域限制在同一介质孔洞中形成自对准的柱状结构，不需要在相变材料周围制备保温层，减少了工艺步骤。