专利详情

专利名称	提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法
申请号	CN200810041158.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101335309	公开（授权）日	2008.12.31
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陆卫;王旺平;李宁;甄红楼;陈平平;李天信;张波;李志锋;陈效双
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/11(2006.01)I
专利有效期	提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法至提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、10¹⁰cm^-2～10¹¹cm^-2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。