专利详情

专利名称	一种具有内增益的紫外探测器及制备方法
申请号	CN200810041159.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101335308	公开（授权）日	2008.12.31
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王玲;许金通;袁永刚;包西昌;张文静;李超;张燕;李向阳
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种具有内增益的紫外探测器及制备方法至一种具有内增益的紫外探测器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。