专利详情

专利名称	一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法
申请号	CN200710118004.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101335166	公开（授权）日	2008.12.31
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	阴生毅;张永清;张洪来;王宇
主分类号	H01J1/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/146(2006.01)I;H01J1/20(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I
专利有效期	一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法至一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，涉及微波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜，为钨铼锇三元合金膜。一种制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，A.在浸渍发射材料之前，用表面溅射法在阴极表面先溅射沉积铼膜，再溅射沉积锇钨膜，接下来浸渍发射材料，利用发射材料的高温浸渍过程，实现阴极表面膜层的合金化；B.浸渍发射材料之后，利用钨铼锇三元合金靶，在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极，可使阴极发射电流密度成倍提高，加大了阴极发射能力，并可较容易地制备成各种规格并易于实现批量生产。本发明阴极可应用于各类微波电真空器件，也可在电视机的电子管以及电子显微镜中使用。