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酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用

  • 申请号:CN201210193391.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN102757437A
  • 公开(公开)日:2012.10.31
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用
申请号 CN201210193391.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102757437A 公开(授权)日 2012.10.31
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 姚建年;詹传郎;陆振欢
主分类号 C07D487/22(2006.01)I IPC主分类号 C07D487/22(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I
专利有效期 酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用 至酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种酞菁纳米棒阵列薄膜及其制备方法与应用。构建酞菁纳米棒阵列薄膜所使用的酞菁衍生物的结构如式I所示,其中n=1-6。本发明所提供的酞菁纳米棒阵列薄膜是按照包括下述步骤的方法制备得到的:将经过亲水化处理的ITO玻璃浸泡在式I所示酞菁衍生物的有机溶剂溶液中,之后使有机溶剂缓慢挥发,溶质缓慢沉积析出,待溶液与所述ITO玻璃表面平齐时补加所述有机溶剂,重复上述有机溶剂挥发-补加的过程,4-6天后自组装得到酞菁纳米棒阵列薄膜。该薄膜可以通过简单便捷的溶液沉积法大量制备,为纳米薄膜的制备提供了一个新的思路;同时该薄膜可以电极材料用于构建太阳能电池器件。(式I)

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