半导体基底
- 申请号：CN201190000055.2
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202513135U
- 公开(公开)日：2012.10.31
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 半导体基底 | ||
| 申请号 | CN201190000055.2 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202513135U | 公开（授权）日 | 2012.10.31 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/74(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/74(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体基底 至半导体基底 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 一种半导体基底，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构，以隔离至少两个有源区；其特征在于，所述半导体基底还包括：修正半导体区，所述修正半导体区嵌于至少部分数目的所述有源区中，所述修正半导体区材料与所述半导体衬底材料不同，且所述修正半导体区的上表面至少与所述有源区的上表面齐平，所述修正半导体区的下表面高于所述隔离结构的下表面。本实用新型去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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