专利详情

专利名称	提高半导体型碳纳米管发光效率的方法
申请号	CN200710099289.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101308889	公开（授权）日	2008.11.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	谭平恒;张俊;李桂荣
主分类号	H01L33/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)I
专利有效期	提高半导体型碳纳米管发光效率的方法至提高半导体型碳纳米管发光效率的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。