专利详情

专利名称	一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
申请号	CN201110100732.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102751325A	公开（授权）日	2012.10.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	许高博;徐秋霞
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	一种隧穿场效应晶体管及其制造方法至一种隧穿场效应晶体管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，包括：半导体衬底；应变层，位于所述半导体衬底上；沟道区，位于所述半导体衬底和应变层中；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极层，所述栅介质层位于沟道区上，所述栅电极层位于栅介质层上；源区和漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入半导体衬底中，其中，部分源区延伸至所述栅堆叠下方；袋区，位于所述栅堆叠下方源区中并被源区所包裹，在靠近沟道区一侧，袋区与源区边沿重合并与沟道区相接。