专利详情

专利名称	浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件
申请号	CN201110099133.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102751229A	公开（授权）日	2012.10.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	闫江
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件至浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件。本发明提供一种制作浅沟槽隔离（STI）结构的方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘介质；借助掩膜，刻蚀部分绝缘介质以露出下面的半导体衬底，未刻蚀掉的绝缘介质构成STI区；以及在所述STI区之间的所述半导体衬底上外延生长半导体层作为有源区。通过本发明的方法，既解决了小尺寸沟槽的填充难题，又克服了STI高度差问题。