专利详情

专利名称	一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法
申请号	CN201110101584.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102751094A	公开（授权）日	2012.10.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵宁;王惠娟
主分类号	H01G4/33(2006.01)I	IPC主分类号	H01G4/33(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I
专利有效期	一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法至一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。