专利详情

专利名称	钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法
申请号	CN200810018480.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101307496	公开（授权）日	2008.11.19
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;李为民;秦清海;万松明
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I
专利有效期	钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法至钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明为钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法，它的分子式可表为Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂(x＝0～1，＝-0.2～0.2)，可用Gd₂O₃、 Y₂O₃、Sc₂O₃、Ga₂O₃，或相应的钆、钇、钪、镓的其他化合物进行配料，只要能最终化合为Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长；对于需用籽晶定向生长的熔体法，籽晶为GYSGG单晶、或钇钪镓石榴石YSGG单晶、或钆钪镓石榴石单晶GSGG。 GYSGG单晶可用作Bi³⁺掺杂的钇铁石榴石外延薄膜的衬底材料。