一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法
- 申请号:CN200810050860.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101304076
- 公开(公开)日:2008.11.12
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法 | ||
申请号 | CN200810050860.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101304076 | 公开(授权)日 | 2008.11.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 韩艳春;邢汝博;丁艳 |
主分类号 | H01L51/56(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法 至一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明提供一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法,采用 微转移图案化的方法在正性光刻胶薄膜上形成聚合物薄膜图案,然后 以该聚合物薄膜选择性吸附催化剂后进行化学镀金属以形成金属薄 膜。最后以金属薄膜作为掩模对下层正性光刻胶薄膜进行选择性紫外 曝光并溶解除去。紫外光在掩模图形边缘的衍射可以造成非曝光区域 边缘的部分曝光,使剩余的光刻胶薄膜可以和上层的金属薄膜共同组 成具有T型截面的结构,该结构可以作为有机发光显示中阴极的隔离 柱。由于层叠结构T型截面的隔离柱上层金属薄膜不受紫外曝光和显 影的影响,因此对正性光刻胶的曝光剂量和显影时间超过最佳条件的 情况下仍然得到与掩模板尺寸相符的目标层图案。 |
交易流程
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专利 -
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