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一种肖特基背结硅太阳能电池

  • 申请号:CN200710304229.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN101262023
  • 公开(公开)日:2008.09.10
  • 法律状态:专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种肖特基背结硅太阳能电池
申请号 CN200710304229.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101262023 公开(授权)日 2008.09.10
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 赵雷;王文静;刁宏伟
主分类号 H01L31/07(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/07(2006.01)I
专利有效期 一种肖特基背结硅太阳能电池 至一种肖特基背结硅太阳能电池 法律状态 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要 一种肖特基背结太阳能电池,包括p型硅衬底(1),在p型硅衬底(1)背光面上的低功函 数的背电极(2),以及在p型硅衬底(1)迎光面上的高功函数的前透明导电电极(3)。在p型 硅衬底(1)和背电极(2)之间可加入第一种本征半导体层或绝缘层(4);亦可在p型硅衬底 (1)和前透明导电电极(3)之间加入第二种本征半导体层或绝缘层(5)和/或p型掺杂半导体 层(6);在前透明导电电极(3)上还可以具有金属栅线(7)。

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