专利详情

专利名称	纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶工作电极的方法
申请号	CN200810102695.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101252156	公开（授权）日	2008.08.27
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	陈今茂;林原;周晓文;张敬波;肖绪瑞;李学萍
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01G9/04(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I
专利有效期	纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶工作电极的方法至纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶工作电极的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于共轭聚合物敏化纳晶太阳能电池中工作电极的制造技术领域，特别涉及纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶太阳能电池中工作电极的方法。本发明是以宽禁带TiO₂半导体纳晶薄膜为工作电极基底，在工作电极的薄膜表面上均匀沉积一层纳米金颗粒，而后再吸附共轭聚合物光敏剂。本发明制备的半导体工作电极表面均匀修饰了纳米金颗粒，由于共轭聚噻吩敏化剂中的硫原子和金之间较强的共价化学键合作用，使得聚合物敏化剂在工作电极表面的吸附明显增强，聚合物与工作电极之间的电荷传递动力学性能得到了显著的改善，与单纯的TiO₂纳晶薄膜工作电极相比，基于纳米金修饰的共轭聚合物敏化太阳能电池的光电转换效率提高了30～75％。