专利详情

专利名称	纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法
申请号	CN200710173683.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101251426	公开（授权）日	2008.08.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;吴燕红;成海涛;王跃林
主分类号	G01L1/18(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I
专利有效期	纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法至纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。