专利详情

专利名称	APD红外探测器及其制作方法
申请号	CN201110199099.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102881761A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	常州光电技术研究所;中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陆卫;李倩;曾巧玉;陈效双;王文娟;李宁;李志锋
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I
专利有效期	APD红外探测器及其制作方法至APD红外探测器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。