专利详情

专利名称	一种微型辐射探测芯片的制作方法
申请号	CN200810050497.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101246048	公开（授权）日	2008.08.20
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	梁静秋;方伟;梁中翥
主分类号	G01J5/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/02(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I
专利有效期	一种微型辐射探测芯片的制作方法至一种微型辐射探测芯片的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种微型辐射探测芯片的制作方法，包括下列步骤：制备衬底；在衬底表面生长辐射吸收材料；将热敏电阻粘接于衬底表面；将加热丝材料沉积于衬底表面；在带有加热丝材料薄膜的衬底表面生长加热丝保护膜。采用本发明方法制作的辐射探测芯片结构简单，尺寸及质量都得到了很好的控制；由于衬底选用的是高热导率、高绝缘性及低的热容材料，并且采用MEMS方法把加热丝及辐射吸收材料牢固地集成在衬底上，不用胶粘等工艺，热传递能更迅速。采用本发明方法制作的辐射探测芯片可以作为航天器上新型内置定标基准源，也可以应用于其它热辐射探测领域。