专利详情

专利名称	基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法
申请号	CN201210393793.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102860825A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	刘国强;夏慧;李士强;李艳红;夏正武;陈晶;黄欣
主分类号	A61B5/053(2006.01)I	IPC主分类号	A61B5/053(2006.01)I;A61B8/00(2006.01)I
专利有效期	基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法至基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	一种基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法，包括超声驱动激励源、超声探头阵列、控制系统、磁体系统、直流电源和信号检测处理系统。通过控制系统使超声探头阵列处于发射或测量两种模式。通过控制系统使直流电源处于导通或关断状态，进而实现施加磁场或撤销磁场两种模式。测量有磁场和无磁场两种情况下的质点振动速度比，并根据质点振动速度比的平方根重建电导率图像。本发明成像方法不需要进行电场测量，只需要测量声波信号即可，而且测量信号与电导率对应关系简单明确，易于快速图像重建。