专利详情

专利名称	一种CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法
申请号	CN200710063978.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101245490	公开（授权）日	2008.08.20
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	胡章贵;余雪松
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	一种CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法至一种CsLiB₆O₁₀晶体的助熔剂生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及的CsLiB₆O₁₀晶体助熔剂生长方法：将CsLiB₆O₁₀与助熔剂按摩尔比配料，进行预处理得熔体；助熔剂为M′X、M″X₂、PbO、Bi₂O₃、M′₃Mo₃O₁₀ 或M′₄V₂O₇，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；熔体降至饱和温度以上2～10℃，引入籽晶，经恒温后降至饱和温度；并以此为起始温度，以0.01～1℃/天速率降温；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，以不大于20℃/h速率降至室温，得CsLiB₆O₁₀晶体。该方法可降低生长温度，减小生长体系挥发性和粘度，利于溶质传输，可长出高光学质量光学晶体。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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