专利详情

专利名称	平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法
申请号	CN200810050372.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101240391	公开（授权）日	2008.08.13
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	王立民;孟凡岩;吴耀明;王立东;杨洁;毕广利
主分类号	C22C23/04(2006.01)I	IPC主分类号	C22C23/04(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I
专利有效期	平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法至平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法。该合金组成通式表示为： Mg-3wt％Zn-3wt％RE；所述的RE为La、Ce、Pr或Nd，杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于 0.05wt％，用Mg平衡总量到100％。设计和制备中等刚度、中等强度、上中等阻尼性能和中等原料成本的二元增强阻尼镁基合金的方法，得到的该合金有利于平衡优化刚度、宽频段、宽的应变振幅、宽温度区间、强度、足够耐高温、抗蠕变、韧性、价格、利于防腐处理和利于热加工等实际应用中需求的要素，利于解决工业上可供选择的阻尼镁基合金品种不多以及稀土资源选择利用或替代利用性不足的问题。